产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(13)
分立半导体
(13)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75645S3ST, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
HUF75645S3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-8701
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FQA24N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4929
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA55N25, 55 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FQA55N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4948
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUFA76645S3ST_F085, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
HUFA76645S3ST_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9331
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0_F085, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDB045AN08A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7953
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3632_F085, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDB3632_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7988
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDB035AN06A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8927
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA28N50F, 28 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDA28N50F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0783
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035AN06A0_F085, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDB035AN06A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7950
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA65N20, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FQA65N20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4950
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDB045AN08A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8936
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB2532, 79 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDB2532
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8951
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA28N50, 28 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 310 W,
制造商零件编号:
FDA28N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5084
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号