产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 198 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fuji Electric 6MBP50RA-060-55 N通道 IGBT 模块, 3 相, 50 A, Vce=600 V, 22引脚 P 610封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 198 W,
制造商零件编号:
6MBP50RA-060-55
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
462-912
搜索
Fuji Electric 7MBP25RA-120-55 N通道 IGBT 模块, 25 A, Vce=1200 V, 22引脚 P 610封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 198 W,
制造商零件编号:
7MBP25RA-120-55
品牌:
Fuji
库存编号:
716-5615
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Fuji Electric 6MBP75VBA-060-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 75 A, Vce=600 V, 24引脚 P 626封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 198 W,
制造商零件编号:
6MBP75VBA-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
877-7301
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA7N80C_F109, 7 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 198 W,
制造商零件编号:
FQA7N80C_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4960
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