产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP PBSS4250X , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:150, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
PBSS4250X
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-1609
搜索
Toshiba 2SC2873-Y(F) , NPN 双极晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:120, 120 MHz, 4引脚 SC-62封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
2SC2873-Y(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1602
查看其他仓库
DiodesZetex BCX6825TA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=20 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
BCX6825TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7653
搜索
NXP BFG35,115 , NPN 射频双极晶体管, 150 mA, Vce=18 V, HFE:25, 4000 MHz, 4引脚 SC-73封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
BFG35,115
品牌:
NXP
库存编号:
233-253
查看其他仓库
NXP BFG97 , NPN 射频双极晶体管, 100 mA, Vce=15 V, HFE:25, 5500 MHz, 4引脚 SC-73封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
BFG97,115
品牌:
NXP
库存编号:
484-2460
查看其他仓库
DiodesZetex ZTX688BSTZ , NPN 晶体管, 3 A, Vce=12 V, HFE:100, 150 MHz, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
ZTX688BSTZ
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7537
搜索
DiodesZetex ZTX458 , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:15, 50 MHz, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
ZTX458
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7587
搜索
DiodesZetex ZTX558 , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=400 V, HFE:15, 50 MHz, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
ZTX558
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7663
搜索
Toshiba 2SC3665-Y(F) , NPN 双极晶体管, 800mA, Vce=120 V, HFE:120, 120 MHz, 3引脚 MSTM封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
2SC3665-Y(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
531-9501
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Toshiba 2SA1425-Y(F) , PNP 双极晶体管, 800mA, Vce=120 V, HFE:120, 120 MHz, 3引脚 MSTM封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
2SA1425-Y(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1208
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ROHM 2SD2097 , NPN 双极晶体管, 5 A, Vce=20 V, HFE:120, 150 MHz, 3引脚 ATV封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
2SD2097
品牌:
ROHM
库存编号:
604-8985
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DiodesZetex ZTX690BSTZ , NPN 晶体管, 2 A, Vce=45 V, HFE:150, 150 MHz, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
ZTX690BSTZ
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7483
搜索
Nexperia BST39TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:40, 70 MHz, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
BST39TA
品牌:
Nexperia
库存编号:
669-7720
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD320PBF, 490 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
IRFD320PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4774
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Taiwan Semiconductor 1N4746A R0 单路 齐纳二极管, 18V 5% 1 W, 2引脚 DO-41封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
1N4746A R0
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
687-5462
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ROHM PTZTE2530A 单路 齐纳二极管, 30V 1 W, 2引脚 SOD-106封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
PTZTE2530A
品牌:
ROHM
库存编号:
700-2583
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ROHM PTZTE253.9B 单路 齐纳二极管, 4.2V 6% 1 W, 2引脚 SOD-106封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
PTZTE253.9B
品牌:
ROHM
库存编号:
700-2589
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ROHM PTZTE2533A 单路 齐纳二极管, 36V 1 W, 2引脚 SOD-106封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
PTZTE2533A
品牌:
ROHM
库存编号:
700-2595
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ROHM PTZTE255.1A 单路 齐纳二极管, 5.1V 1 W, 2引脚 SOD-106封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
PTZTE255.1A
品牌:
ROHM
库存编号:
700-2602
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Vishay ZMY39-GS08 单路 齐纳二极管, 39V ±5% 1 W, 2引脚 MELF封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
ZMY39-GS08
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4067
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Toshiba CMZM16(Q) 2 x 共阴极对 齐纳二极管, 16V ±10% 1 W, 2引脚 M-FLAT封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
CMZM16(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-2554
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Vishay SML4755 单路 齐纳二极管, 43V ±10% 1 W, 2引脚 SMA封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
SML4755
品牌:
Vishay
库存编号:
634-9165
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Fairchild Semiconductor BZX85C15 单路 齐纳二极管, 15V 5% 1 W, 2引脚 DO-41封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
BZX85C15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
670-8867
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Nexperia 1N4742A R0 单路 齐纳二极管, 12V 5% 1 W, 2引脚 DO-41封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
1N4742A R0
品牌:
Nexperia
库存编号:
687-5459
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Taiwan Semiconductor 1N4748A R0 单路 齐纳二极管, 22V 5% 1 W, 2引脚 DO-41封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 1000 mW,
制造商零件编号:
1N4748A R0
品牌:
Taiwan Semiconductor
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