产品分类:半导体,品牌:Toshiba,规格:最大功率耗散 110 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Toshiba,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6113
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Toshiba,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
TK58E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5106
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,品牌:Toshiba,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
TK12J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2881
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Toshiba,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5012
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,品牌:Toshiba,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
TK12J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6117
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,品牌:Toshiba,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2888
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