以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ035N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5358
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDD4685, 8.4 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDD4685
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0893
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86520L, 71 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86520L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9649
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86320, 22 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86320
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3529
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5353, 11.5 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDD5353
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0896
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC067N06LS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSC067N06LS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9121
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSZ086P03NS3EG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ086P03NS3EG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9134
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC076N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSC076N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9137
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N06NS, 40 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ042N06NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4390
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDMS86252, 24 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86252
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4863
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSC030N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5244
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ042N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5355
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86102LZ, 37 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86102LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5914
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR862DP-T1-GE3, 32 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  SIR862DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1297
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC035N04LSG, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSC035N04LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9152
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ076N06NS3G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ076N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9171
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86520L, 22 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86520L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4875
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4141_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDD4141_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8073
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ019N03LS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ019N03LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4274
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ040N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ040N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5351
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ067N06LS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ067N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5364
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD3860, 29 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDD3860
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9071
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8560S, 70 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS8560S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9199
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86520, 42 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86520
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3523
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR416DP-T1-GE3, 27 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 69 W,
• 制造商零件编号：
  SIR416DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1272
  
• 
  搜索