产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(28)
分立半导体
(28)
筛选品牌
Infineon (28)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPD50N06S4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9175
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPD088N06N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5081
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N04S4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPB80N04S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4502
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S4-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPI80N04S4-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6763
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPB35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8671
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB3806, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
AUIRFB3806
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1807
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPD35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9128
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N06S409, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPB45N06S409
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9443
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IRFSL3806PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4117
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPP45N06S4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6892
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP45N06S4L-08, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPP45N06S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6895
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPP80N04S4-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6974
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP80N04S4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPP80N04S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6978
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPB45N06S4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8683
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IRFB3806PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6926
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IRFU3806PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7143
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3806TRPBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IRFR3806TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4054
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPI45N06S4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4679
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IRFS3806PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7083
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR3806, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
AUIRFR3806
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1850
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP093N06N3 G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPP093N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5484
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD180N10N3 G, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPD180N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9402
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB45N06S4L08ATMA2, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPB45N06S4L08ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9446
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N04S4-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPB80N04S4-04
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9480
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB090N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 71 W,
制造商零件编号:
IPB090N06N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9529
查看其他仓库
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号