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• STMicroelectronics MJE3055T , NPN 晶体管, 10 A, Vce=60 V, HFE:5, 2 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  MJE3055T
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  313-6916
  
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• STMicroelectronics ST13005 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:8, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  ST13005
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-1865
  
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• STMicroelectronics MJE2955T , PNP 晶体管, 10 A, Vce=60 V, HFE:5, 2 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  MJE2955T
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-4561
  
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• STMicroelectronics HD1750FX , NPN 晶体管, 24 A, Vce=800 V, HFE:6.5 @ 12 A @ 5 V, 3引脚 ISOWATT218FX封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  HD1750FX
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2671
  
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• STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=1200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  STGD5NB120SZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2879
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  IRF630
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-0171
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL42P4LLF6, 42 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  STL42P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5682
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大功率耗散 75 W,
• 制造商零件编号：
  IRF630
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6673
  
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