产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor MJD31C1G , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
MJD31C1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5340
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ON Semiconductor MJD340G , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 10 MHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
MJD340G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5343
搜索
ON Semiconductor MJD45H11-1G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 20 MHz, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
MJD45H11-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5353
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Infineon IRGR4045DPBF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRGR4045DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1130
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU9120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1275
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1663
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU1018EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7115
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4822
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Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFU8405, 100 A, 211 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
AUIRFU8405
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1045
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IPS031N03LGAKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7044
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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R2K0CEBKMA1, 2.4 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IPU50R2K0CEBKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7066
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
FCD7N60TM_WS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1255
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IPS040N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2138
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFR3707ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4993
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRLU3103PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5062
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRLU3915PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5072
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Infineon TLE4284D V50 LDO 稳压器, 5 V输出, 1A最大输出, 3%精确度, -0.3 → 40 V输入, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
TLE4284D V50
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3254
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Fairchild Semiconductor FDDS100H06_F085, 单输出 智能电源开关, 高侧开关, 3A, 5.5 → 37V, 41.6W, 5引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
FDDS100H06_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5867
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU024NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1607
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU210PBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1629
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9210PBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU9210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1679
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9967
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU3607PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7134
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRLU8259PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7291
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU320PBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:高度 6.22mm,
制造商零件编号:
IRFU320PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4840
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