产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics LSM9DS0TR 3轴 加速度计、陀螺仪和磁力仪, 串行I2C、串行SPI接口, 0 → 400 kHz, 2.4 → 3.6 V电源, 24引脚 LGA封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
LSM9DS0TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
110-6554
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Maxim MAX6816EUS+T CMOS 弹跳消除器电路, 2.7 V最小电源, 5.5 V最大电源, 4引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
MAX6816EUS+T
品牌:
Maxim
库存编号:
923-5624
搜索
Maxim MAX6816EUS+T CMOS 弹跳消除器电路, 2.7 V最小电源, 5.5 V最大电源, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
MAX6816EUS+T
品牌:
Maxim
库存编号:
732-6848
搜索
Analog Devices AD9652BBCZ-310 双 16 位 ADC, 差分输入, 串行(3 线,SPI)接口, 144引脚 CSPBGA封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
AD9652BBCZ-310
品牌:
Analog Devices
库存编号:
909-3433
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STMicroelectronics STM32F 系列 32 bit ARM Cortex M3 MCU STM32F103ZEH7, 72MHz, 512 kB ROM 闪存, 64 kB RAM, 1xUSB, LFBGA-144
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
STM32F103ZEH7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
724-9671
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7405BDN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1400
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI7635DP-T1-GE3, 21 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7635DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1407
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7129DN-T1-GE3, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7129DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1384
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1390
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7149ADP-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7149ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1393
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7619DN-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7619DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1403
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4334
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STMicroelectronics STM32F 系列 32 bit ARM Cortex M3 MCU STM32F103ZEH6, 72MHz, 512 kB ROM 闪存, 64 kB RAM, 1xUSB, LFBGA-144
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
STM32F103ZEH6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6437
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Maxim MAX811TEUS+T 电压监控器, 3 至 3.15 V监控电压, 多种输出驱动, 复位功能, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
MAX811TEUS+T
品牌:
Maxim
库存编号:
732-7052
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7114ADN-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7114ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1378
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7121DN-T1-GE3, 9.6 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7121DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1380
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7117DN-T1-GE3, 1.7 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7117DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1387
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7232DN-T1-GE3, 24 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7232DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1396
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7900AEDN-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SI7900AEDN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1416
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STMicroelectronics BAT60JFILM 肖特基 二极管, Io=3A, Vrev=10V, 2引脚 SOD-323封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
BAT60JFILM
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6879
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Maxim MAX811REUS+T 电压监控器, 2.55 至 2.7 V监控电压, 多种输出驱动, 复位功能, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
MAX811REUS+T
品牌:
Maxim
库存编号:
732-7059
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Nexperia BAT54J 肖特基 二极管, Io=300mA, Vrev=30V, 5ns, 2引脚 SOD-323封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
BAT54J
品牌:
Nexperia
库存编号:
497-6557
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Littlefuse SP0503BAHTG 单向 TVS 二极管阵列, 0.22W, -0.4 V, 8.5 V, 4针 SOT-143封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
SP0503BAHTG
品牌:
Littelfuse
库存编号:
793-1967
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STMicroelectronics ESDA8V2-1J 单向 ESD 保护二极管, 500W, 20V, 2针 SOD-323封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
ESDA8V2-1J
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
917-2719
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Maxim MAX837EUS+T 电压监控器, 1.169V最小复位阈值电压, 用于微功耗电压监视器, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:半导体,规格:高度 1.07mm,
制造商零件编号:
MAX837EUS+T
品牌:
Maxim
库存编号:
732-7122
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