产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3454ADV-T1-E3, 3.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3454ADV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4695
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
Si1308EDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9121
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ1420EEH-T1-GE3, 1.6 A, Vds=60 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SQ1420EEH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9434
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1469DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3081
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, 1.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1922EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3091
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3433CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3142
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3460DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3158
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3464DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3167
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3993CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3189
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3865DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4270
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Vishay DG2002DL-T1-E3 模拟单刀双掷开关, 单-单刀双掷, 3 V 5 V电源, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
DG2002DL-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-2897
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Vishay DG2018DN-T1-E4 模拟开关, 双双刀双掷, 1.8 → 5.5 V电源, 16引脚 QFN封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
DG2018DN-T1-E4
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9064
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Vishay DG2012DL-T1-E3 模拟开关, 单-单刀双掷, 1.8 → 5.5 V电源, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
DG2012DL-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-8816
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Vishay DG9411DL-T1-E3 模拟开关, 单-单刀双掷, 2.25 → 5.5 V电源, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
DG9411DL-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-8939
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1302DL-T1-E3, 600 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1302DL-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
655-6795
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3446ADV-T1-E3, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3446ADV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3291
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1442DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9134
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9226
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1315DL-T1-GE3, 700 mA, Vds=8 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1315DL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3057
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
Si1416EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3063
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI1480DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1480DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3085
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI1553CDL-T1-GE3, 400 mA,700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1553CDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3094
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Trans MOSFET N/P-CH 20V 6-Pin
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:高度 1mm,
制造商零件编号:
SI1869DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3097
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