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• Infineon BC 807U E6327, 双 PNP 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 200 MHz, 6引脚 SC-74封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BC 807U E6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2380
  
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• Infineon TLE4906K, 霍尔效应传感器 双极, 13.9 mT, 2.7 → 24 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4906K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9165
  
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• Infineon TLE4906-3K, 霍尔效应传感器开关 单极, 38.8 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4906-3K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8851
  
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• Infineon TLI4906K, 霍尔效应传感器开关 双极, 13.9 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLI4906K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8882
  
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• Infineon TLV4976-2K 霍尔效应传感器开关, 单极磁场, 5.1 mT, 3 → 18 V电源, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLV4976-2K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8914
  
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• Infineon TLE4976-1K, 霍尔效应传感器开关 单极, 11 mT, 3 → 24 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4976-1K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8876
  
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• Infineon TLE4976-2K, 霍尔效应传感器开关 单极, 5.1 mT, 3 → 24 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4976-2K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8879
  
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• Infineon TLV4946K, 霍尔效应传感器开关 双极, 19.2 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLV4946K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8902
  
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• Infineon TLE4946-2K, 霍尔效应传感器 双极, 3.5 mT, 2.7 → 24 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4946-2K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9147
  
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• Infineon TLE4916-1K 霍尔效应传感器开关, 单极磁场, 5 mT, 2.4 → 5 V电源, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4916-1K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8860
  
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• Infineon TLE4946K, 霍尔效应传感器开关 双极, 19.2 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4946K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8867
  
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• Infineon TLV4946-2K, 霍尔效应传感器开关 双极, 19.2 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  TLV4946-2K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8905
  
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• Infineon BTS3800SL, 单输出 智能电源开关, 低侧开关, 0.52A, 41V, 5引脚 SCT595封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BTS3800SL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9103
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC014N03LS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSC014N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8151
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSC026N02KS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8154
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSC028N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5241
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSC050N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5263
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSC057N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5279
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSC080N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5288
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSC520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5323
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ035N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5358
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ105N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5361
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ097N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5367
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ160N10NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5373
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：高度 1.1mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ165N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5377
  
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