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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDG330P, 2 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDG330P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3393
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2301ES-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  SQ2301ES-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3908
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET RUF025N02TL, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 TUMT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  RUF025N02TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7800
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050NE2LS, 58 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  BSC050NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5340
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03LS G, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ130N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2909
  
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