规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2313CX RFG, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
TSM2313CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6068
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4823NT1G, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTMFS4823NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0686
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STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STR2N2VH5, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
STR2N2VH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7876
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDS9431A, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDS9431A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5507
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STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STT5N2VH5, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
STT5N2VH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7918
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8313TRPBF, 9.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF8313TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3903
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDS9431A_F085, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDS9431A_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8726
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STR2P3LLH6, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
STR2P3LLH6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5702
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMD63N02XTA, 2.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ZXMD63N02XTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7540
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8313PBF, 9.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF8313PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6894
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