规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(17)
半导体
(17)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (4)
Infineon (2)
Nexperia (1)
ROHM (1)
STMicroelectronics (6)
Toshiba (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCPF16N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4761
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4843
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK20A60W5,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK20A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2939
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7746PBF, 59 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7746PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5148
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP35NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7614
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP16N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4742
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD25NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5061
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB35NF10T4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB35NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0673
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
R5019ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7523
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC030N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5244
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R2-80YS, 82 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN8R2-80YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3031
搜索
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STP140N6F7, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP140N6F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-4693
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40J60U(F), 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK40J60U(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
760-3142
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W5,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK20A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5065
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3620
搜索
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL140N6F7, 140 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STL140N6F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
907-4766
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD25NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6563
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号