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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5832NLT1G, 110 A, Vds=40 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5832NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  753-2686
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S3-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP70N10S3-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3052
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP072N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5480
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP11N52K3, 10 A, Vds=525 V, 4引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP11N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9657
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STW13N95K3, 10 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW13N95K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9777
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA04DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9370
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80N04S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4509
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GHKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP052NE7N3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6845
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6971
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMQ60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  MMQ60R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5056
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC060N10NS3 G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC060N10NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5276
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA06DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9373
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4124DY-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4124DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3195
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD068N10N3G, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD068N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9156
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MML60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  MML60R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5053
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC123N10LS G, 71 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC123N10LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5305
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB070AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB070AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8942
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N95K3, 10 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP13N95K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9651
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA04DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SISA04DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9307
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS476DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIS476DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9392
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6413ANT4G, 42 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTB6413ANT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2866
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF11N52K3, 10 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF11N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0437
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET RFD16N06LESM9A, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  RFD16N06LESM9A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-2146
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC067N06LS3 G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC067N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9358
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80N04S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6754
  
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