品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1010EZ
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7655
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB80N06S4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4530
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80N06S4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7006
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7110TRPBF, 58 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH7110TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4177
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4510PBF, 62 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8922
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4510PBF, 61 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8969
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7546PBF, 75 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7546PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8851
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L07ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB80N06S4L07ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9459
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1010EZ
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3982
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9530NPBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4860
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9530NSPBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9530NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5003
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-251AA封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFU5410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4136
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP12CN10L G, 69 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP12CN10L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2135
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4510PBF, 61 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFSL4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5088
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9530NSPBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9530NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9456
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410TRPBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR5410TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4079
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD90N06S4L-06, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD90N06S4L-06
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4625
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI80N06S4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6788
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9530NPBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0828
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