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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6923
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3607
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1841
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607TRLPBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3607TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4108
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5040
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7134
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R5-60YS, 100 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R5-60YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2996
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STF43N60DM2, 34 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF43N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6465
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP8874, 16 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP8874
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4878
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7074
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3607
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9186
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB38N30U, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB38N30U
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0818
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06N, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP029N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5627
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N08S2L-21, 30 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD30N08S2L-21
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5120
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76633P3_F085, 39 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  HUF76633P3_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9315
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R5-60YS, 100 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R5-60YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8127
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7030
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK95Z, 7 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW9NK95Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0348
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3607TRPBF, 80 A, Vds=75 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3607TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5017
  
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