规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP20N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4809
搜索
Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4090DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9131
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA20N50_F109, 22 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDA20N50_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5078
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF20N50T, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF20N50T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3602
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Vishay ThunderFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4090DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5902
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG17N60D-GE3, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHG17N60D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9165
搜索
Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4090DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4218
搜索
DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2015UFDE-7, 10.5 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2020封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMN2015UFDE-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5279
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 45.6 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF20N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3605
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