规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R250C6, 16 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD65R250C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7125
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFI9640GPBF, 6.1 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI9640GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1128
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640SPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9640SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4211
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9640LPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9640LPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4895
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A18DN8TA, 4.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
ZXMP6A18DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2554
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP20NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9667
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB50N25M5, 28 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB50N25M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0682
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHP25N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9175
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8445, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB8445
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0821
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRLPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9640STRLPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2667
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRRPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9640STRRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2676
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640PBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9640PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1118
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI530NPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9620
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6675BZ, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS6675BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0598
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB22NM60N, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB22NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9496
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW22NM60N, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW22NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0297
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUP50N03-5M1P-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SUP50N03-5M1P-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7499
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N08S2-22, 30 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD30N08S2-22
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5139
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3910PBF, 16 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR3910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0137
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8554, 72 A, Vds=20 V, 8引脚 Power 33封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC8554
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9557
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF20NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0455
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86150, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS86150
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1203
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 ATP203-TL-H, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 ATPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
ATP203-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9490
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8445_F085, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB8445_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8004
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS6B05NT1G, 104 A, Vds=100 V, 8引脚 SO-8FL封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTMFS6B05NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3265
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