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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60Z, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP6NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7838
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP6NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2357
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQB27P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0873
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD7N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9604
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP7N52DK3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP7N52DK3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9714
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF7N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0483
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTB25P06T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0510
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MMSF3P02HDR2G, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  MMSF3P02HDR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-2832
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S4-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80N04S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6763
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2672_F085, 3.9 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS2672_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8638
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R290PTH, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  MMF60R290PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5034
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC100N10NSFG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4375
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP6NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8749
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP27P06, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP27P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5064
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86200, 52 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86200
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4850
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC4435BZ, 32 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC4435BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6260
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB15N50, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB15N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8958
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STF7N52DK3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF7N52DK3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0480
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD5805NT4G, 51 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTD5805NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1020
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQPF27P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5901
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6770A, 24 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD6770A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0919
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2L23ATMA3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9115
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6216TRPBF, 2.2 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6216TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2847
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6974
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86200, 35 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86200
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4752
  
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