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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU1018EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7115
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXM64P03XTA, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  ZXM64P03XTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5326
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC6675BZ, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC6675BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9529
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK80ZFP, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP8NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0190
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5419
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1018ETRPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR1018ETRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4022
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6107
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N04S4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80N04S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4502
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8896_F085, 94 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8896_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8136
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1018EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6800
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ34GPBF, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4796
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR1018E, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR1018E
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1831
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS3008SDC, 65 A, 140 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS3008SDC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9177
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1018ES, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1018ES
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9114
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK58E06N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5106
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5166
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8453LZ, 16 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8453LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-2976
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5353, 11.5 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD5353
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0896
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7726TRPBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7726TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3871
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP80N04S4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6978
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2401
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2647
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA24N40F, 23 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDA24N40F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4134
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1018ESTRLPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1018ESTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4932
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7726PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7726PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-805
  
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