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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7149
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540ZPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF540ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6872
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF540Z, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF540Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7458
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF10N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2723
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86101A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8439
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMS86163P, 7.9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86163P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8442
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI086N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI086N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2166
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB067N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB067N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7099
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STI10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STI10N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9954
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8401, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR8401
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0988
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI5429DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9232
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFP26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4436
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPI45P03P4L-11, 45 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI45P03P4L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4681
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6823
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N04N G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP041N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2321
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL130N6F7, 130 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STL130N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-4674
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF540Z, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF540Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8598
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540ZSPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF540ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3929
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0981
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STF5NK100Z, 3.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF5NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5320
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK100Z, 3.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP5NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5327
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI7852DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9250
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN016-100YS, 51 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN016-100YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2858
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4360
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L-11, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50P03P4L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9159
  
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