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• Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2311CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  TSM2311CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6055
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN302P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDN302P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0400
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC640P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDC640P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0856
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16413Q5A, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD16413Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4798
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4863NT4G, 49 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  NTD4863NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0535
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17552Q3A, 74 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17552Q3A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4852
  
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