以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay N沟道 Si MOSFET SIB452DK-T1-GE3, 670 mA, Vds=190 V, 6引脚 SC-75封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIB452DK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1253
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92PH6327XTSA1, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP92PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8501
  
• 
  搜索

• Nexperia SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP89, 350 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP89
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  445-2281
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86106LZ, 3.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDT86106LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9706
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT4N25TF, 830 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQT4N25TF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5939
  
• 
  搜索

• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTY2N65X2, 2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXTY2N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1476
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP2N65X2, 2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXTP2N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1482
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2303BDS-T1-E3, 1.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI2303BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4667
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92P, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP92P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8237
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R3K0CEBKMA1, 1.7 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPU50R3K0CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7078
  
• 
  搜索