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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP450APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0030
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW30N65M5, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW30N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0317
  
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• Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8125, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TPC8125
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5115
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFR15N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1430
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5360L_F085, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS5360L_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8372
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB200N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6870
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3190
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R4-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R4-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2959
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8403TR, 123 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFN8403TR
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4149
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK70ZFP, 8.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP10NK70ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8846
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7660AS, 152 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7660AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4793
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPA11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8476
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH15N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1389
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5471DC-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI5471DC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1328
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUP90N15-18P-E3, 90 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SUP90N15-18P-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7502
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH15N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0969
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPW11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8505
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP200N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5500
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK70ZFP, 8.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP10NK70ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9960
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SiHG32N50D-GE3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG32N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9207
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFT15N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1468
  
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