规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-221
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9828
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLL3303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9890
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5672, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS5672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0542
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC050N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5263
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STW7N95K3, 7.2 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW7N95K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9806
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP6N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0168
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A,27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFR4105
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9146
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI7949DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9011
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9267
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK32E12N1,S1X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK32E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5104
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDUL03N150CG, 5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDUL03N150CG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-6791
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK32A12N1,S4X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK32A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2344
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFIZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9743
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8025S, 109 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS8025S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4838
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFZ34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1875
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N06LS3 G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC100N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5298
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD6N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9922
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STF7N95K3, 7.2 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF7N95K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0487
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCD380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCD380N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1137
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SISA10DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9409
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7817
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9318
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDTL03N150CG, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDTL03N150CG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-6797
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3580, 7.6 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS3580
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3636
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