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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1663
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5323
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5389
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0644
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB530N15N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8982
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0395
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510SPBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9510SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4126
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110TRPBF, 690 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFL9110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2730
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510PBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9510PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0018
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8342TR2PBF, 8.8 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFHS8342TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7335
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ900N20NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4444
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110PBF, 1.1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFL9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0367
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3 G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP530N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2305
  
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