规格:典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 4.5 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(4)
半导体
(4)
筛选品牌
DiodesZetex (1)
Fairchild Semiconductor (1)
Infineon (1)
Vishay (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMA1024NZ, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDMA1024NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6216
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ065N03LS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSZ065N03LS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4331
搜索
DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2040LTS-13, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
DMN2040LTS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2551
查看其他仓库
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3441BDV-T1-GE3, 2.4 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SI3441BDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3285
查看其他仓库
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号