规格:典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6401N, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDC6401N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0852
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Nexperia P沟道 Si MOSFET PMV160UP, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
PMV160UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6928
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Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25304W1015T, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 DSBGA封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD25304W1015T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
914-2945
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET CPH3356-TL-H, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 CPH封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CPH3356-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0787
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG312P, 1.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDG312P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3377
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