规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4746
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCPF20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4764
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60FTM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB20N60FTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6119
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK60ZFP, 13.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP14NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0017
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0037
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4838
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7787TRPBF, 68 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH7787TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4183
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R160C6, 24 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4429
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB20N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0330
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB55N10TM, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQB55N10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0914
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0128
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0339
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5802NT4G, 78 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NVD5802NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1777
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7545PBF, 95 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7545PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8858
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP55N10, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP55N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5149
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STF40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2830
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5802NT4G, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTD5802NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0541
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International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7545PBF, 95 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7545PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
807-1546
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS030N06B, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS030N06B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8341
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCA20N60F, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCA20N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1230
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7424PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7424PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2092
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R160C6, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2983
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB14NK60ZT4, 13.5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB14NK60ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9812
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK28N65W,S1F(S, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK28N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5084
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK28N65W,S1F(S, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK28N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2942
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