规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(47)
半导体
(47)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (16)
Infineon (8)
MagnaChip (2)
ON Semiconductor (6)
STMicroelectronics (8)
Toshiba (5)
Vishay (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5087
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7434
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB9N50CTM, 9 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQB9N50CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0933
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3672, 5.9 A, Vds=105 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP3672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4834
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP11N40C, 10.5 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP11N40C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5004
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD20NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0415
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4916NR2G, 11.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTMS4916NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1068
搜索
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA60R450E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8605
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP12NM50FP, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP12NM50FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6686
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7678, 63 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC7678
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9538
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP20NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0061
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD25NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9298
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3565,S5Q(J, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
2SK3565,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4814
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N03-12P-GE3, 17.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SUD50N03-12P-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7461
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5820NLTWG, 29 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NVTFS5820NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4201
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD10AN06A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8032
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP15N40, 15 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP15N40
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8543
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4435BZ_F085, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS4435BZ_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8635
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP12NM50, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP12NM50
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
419-2197
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR18N15DPBF, 18 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR18N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0923
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3672, 7.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS3672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0491
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7853PBF, 8.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7853PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6888
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2995
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86240, 7.5 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS86240
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9190
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF400N60, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCPF400N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1130
查看其他仓库
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号