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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDS6676AS, 14.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS6676AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0592
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N50, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF18N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4884
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPW11N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3213
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86520L, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC86520L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5882
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB31N65M5, 22 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB31N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3040
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5406NT4G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTD5406NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1018
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK17E65W,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6157
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF80N10F7, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF80N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7110
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP11N65C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8807
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD6637_F085, 21 A, Vds=35 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD6637_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8095
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86255, 45 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86255
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8473
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK17E65W,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2923
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP65R280E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7595
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPA11N65C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7780
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8445, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8445
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0365
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA10N80C_F109, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQA10N80C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4881
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQA9N90C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4985
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP17N40, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP17N40
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5036
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP9N90C, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP9N90C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5206
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCH22N60N, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCH22N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6121
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPA11N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8467
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86520L, 71 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86520L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9649
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW23NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9783
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB23NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0663
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI31N65M5, 22 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STFI31N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2946
  
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