规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP2160UFDB-7, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 DFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
DMP2160UFDB-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-8499
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDME430NT, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDME430NT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8256
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMG2301U-7, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
DMG2301U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2526
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16340Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD16340Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4732
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ROHM P沟道 Si MOSFET RZF020P01TL, 2 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
RZF020P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7810
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI1471DH-T1-GE3, 2.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SI1471DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3226
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2160U-7, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
DMP2160U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4247
搜索
ROHM P沟道 Si MOSFET RZR020P01TL, 2 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
RZR020P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7826
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