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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ22DN20NS3 G, 7 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ22DN20NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4463
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2306CX RFG, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TSM2306CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6021
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDFPD1N150CG, 200 mA, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NDFPD1N150CG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  801-6794
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ42DN25NS3 G, 5 A, Vds=250 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ42DN25NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9382
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET PCP1402-TD-H, 1.2 A, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PCP1402-TD-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7964
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD85301Q2T, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 WSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  CSD85301Q2T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9911
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86244, 9.4 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC86244
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9566
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC86244, 2.3 A, Vds=150 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDC86244
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8026
  
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