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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7490PBF, 5.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7490PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2159
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPD15P10PG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5300
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5778
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI147N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2289
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2238
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2244
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC076N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC076N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9137
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410TRPBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4044
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518TRPBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4048
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSTRLPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF530NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2837
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9092
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF530NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9260
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ076N06NS3G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ076N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9171
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06NS, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC028N06NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4296
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9060
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9099
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N03S4L-04, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD70N03S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9070
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3410PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU3410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5107
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3887
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF530NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0755
  
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