规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8622, 17 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS8622
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5918
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N15NS3 G, 13 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ900N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6886
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD7N20TM, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD7N20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9106
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014, 2.7 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDT014
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1246
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Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PE, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSL308PE
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2172
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH6331-TL-W, 3.5 A, Vds=30 V, 6引脚 MCPH6封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
MCH6331-TL-W
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
920-9809
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS308PE, 1.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSS308PE
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5500
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