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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP45NF06, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP45NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7658
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5672, 10.6 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS5672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0390
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB9NK50ZT4, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB9NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5184
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2995
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2734, 3 A, Vds=250 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS2734
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9197
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8325TR2PBF, 82 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFH8325TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4375
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9052
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF16N50T, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF16N50T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3598
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW15N80K5, 14 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW15N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1490
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6924
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CP, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R199CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7113
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8794
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR5505TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4783
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4788
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP10N60P, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFP10N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0776
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK50ZFP, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP9NK50ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8701
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK50Z, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP9NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8708
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP10N60P, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFP10N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-502
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK50ZFP, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP9NK50ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2379
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7572S, 105 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7572S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6339
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7619DN-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI7619DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1403
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF15N80K5, 14 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF15N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7085
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8790
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  MDP10N60GTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4946
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4202
  
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