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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQPF6N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5290
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPB18P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3169
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC080N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5288
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4436DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3224
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP07N65C3XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP07N65C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8797
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU17P06TU, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQU17P06TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4740
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7682, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7682
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4784
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4243_F085, 14 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD4243_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8082
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP6N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5161
  
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• Infineon DirectFET 2 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7675M2TR1, 18 A, Vds=150 V, 7引脚 DirectFET SB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7675M2TR1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7515
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7682, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7682
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4816
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5215TR2PBF, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFH5215TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4365
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3660S, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS3660S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1174
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R0-40PS, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R0-40PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3022
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDD4243, 6.7 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD4243
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0884
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI5410DU-T1-GE3, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI5410DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1315
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP18P06P H, 13.2 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPP18P06P H
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9415
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF12N50UT, 10 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF12N50UT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8587
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD17P06TM, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQD17P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0968
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP17P06, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP17P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5045
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPA07N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8460
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIGH20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  785-8641
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF12N50FT, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF12N50FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3585
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7114ADN-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI7114ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1378
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD22N08S2L-50, 27 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD22N08S2L-50
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4578
  
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