规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SI1403CDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3213
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DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 DMP2070UCB6-7, 3.5 A, Vds=20 V, 6引脚 U-WLB1510封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
DMP2070UCB6-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5153
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 MCH3481-TL-H, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 MCHP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
MCH3481-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0945
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ROHM N沟道 Si MOSFET RTR020N05TL, 8 A, Vds=45 V, 3引脚 TSMT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
RTR020N05TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7790
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16412Q5A, 52 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD16412Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4785
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6346TRPBF, 3.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML6346TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7234
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6346TRPBF, 3.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML6346TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4070
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML2246TRPBF, 2.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLML2246TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4432
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