规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP36NF06FP, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP36NF06FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2278
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP7N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4755
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF16N15, 11.6 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF16N15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5222
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865N-1G, 38 A, Vds=60 V, 4引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTD5865N-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2897
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP04N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3197
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP10N60NZ, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP10N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9166
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 四 N沟道 Si MOSFET FDMQ86530L, 8 A, Vds=60 V, 12引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMQ86530L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1159
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN039-100YS, 28 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN039-100YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2886
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIHFBC30AS-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHFBC30AS-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2698
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5591
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Infineon Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7321D2TRPBF, 4.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7321D2TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8888
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL4105TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3994
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5158
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP12N50NZ, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP12N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8534
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCD7N60TM_WS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1255
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40A06N1,S4X(S, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK40A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2375
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7608
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C460NLT1G, 78 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTMFS5C460NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9575
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Infineon 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7316PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7316PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-616
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06T4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD20NF06T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
102-3533
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9878
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86250, 8 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD86250
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9484
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06T4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD20NF06T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9047
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF10N60NZ, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF10N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3582
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF030NE2LQ, 75 A, Vds=25 V, 2引脚 WDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSF030NE2LQ
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9073
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