规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9884
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF820APBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF820APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9412
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9689
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9897
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0465
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF13N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3640
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP13N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3788
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3564,S5Q(J, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
2SK3564,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4810
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6911, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS6911
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3661
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFD310PBF, 350 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFD310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2708
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5362L_F085, 22 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS5362L_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8385
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7698, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS7698
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8394
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMT6016LSS-13, 11.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMT6016LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1177
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R385CP, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB60R385CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7495
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC100N03MS G, 44 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC100N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5294
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N52K3, 4.4 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD5N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9578
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STP10NM50N, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP10NM50N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9979
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD13N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3603
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9027
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW13N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7426
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N65M2, 10 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF13N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5648
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STL13N65M2, 6.5 A, Vds=650 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STL13N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5679
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N65M2, 10 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP13N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5698
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU13N65M2, 10 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STU13N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5714
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4195
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