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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807PBF, 82 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2807PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2569
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP047N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4786
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1324PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6807
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804S, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2804S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7734
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2804PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5558
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFS3004, 195 A，340 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3004
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9155
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3107-7P, 240 A，260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3107-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9168
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFBA90N20DPBF, 98 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-273AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBA90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3950
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP240N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP240N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7567
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP047N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4734
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFBA1404PPBF, 206 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-273AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBA1404PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5819
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3004PBF, 340 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3004PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5829
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1404LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3815
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804STRLPBF, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2804STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4948
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SUM110P06-08L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5740
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1404LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0822
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804SPBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2804SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8771
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804LPBF, 75 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2804LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8787
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP140NF75, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP140NF75
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5302
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3004PBF, 340 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3004PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7058
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3107-7PPBF, 260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3107-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7064
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3107PBF, 230 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3107PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7068
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1324, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1324
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9212
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903Z, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2903Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1778
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903ZS, 235 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2903ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1780
  
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