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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS6680AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0609
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5474
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD600N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5478
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD4N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9575
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A，39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2908
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9221
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS6692A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  805-0378
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB12N50TM, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB12N50TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0815
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF730AS-GE3, 5.5 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHF730AS-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2648
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM23N15-73-E3, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SUM23N15-73-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7477
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB600N25N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9204
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STP10N95K5, 8 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP10N95K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1440
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA65R660CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8633
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF850N80Z, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCPF850N80Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7931
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8039
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMC86259P, 3.2 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC86259P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8228
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613P, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP613P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2236
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC600N25NS3 G, 25 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC600N25NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4303
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9620PBF, 3.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9620PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1045
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NDT452AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1100
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6668TR1PBF, 55 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MZ封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6668TR1PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  716-5375
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP9N60N, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCP9N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6159
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB3806, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFB3806
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1807
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8344
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPD18P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8491
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3043
  
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