品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7342PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1764
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR4615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7042
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8356
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3049
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ0902NS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9159
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD096N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5211
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI60R250CPAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6700
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3 G, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA126N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2242
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSF G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC159N10LSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4340
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL5615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFSL5615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5141
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4615, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFR4615
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8637
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHM8329TRPBF, 57 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFHM8329TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5001
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615TRLPBF, 33 A, Vds=150 V, 3针+焊片 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR4615TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5020
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC050N03LS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC050N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5254
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342TRPBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7342TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8901
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4615TRLPBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS4615TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4114
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08N3 G, 70 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP100N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2292
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSB165N15NZ3 G, 45 A, Vds=150 V, 7引脚 WDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSB165N15NZ3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4315
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC109N10NS3 G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC109N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4416
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB5615PBF, 35 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB5615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6964
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS4615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7103
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFU4615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7159
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7450PBF, 2.5 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7450PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8932
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB123N10N3G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB123N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9036
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855TRPBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7855TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3893
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