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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7342PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1764
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7342D2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  543-1954
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK60ZT4, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD5NK60ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5106
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR4615PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7042
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3049
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD5N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9916
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N52K3, 5 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP6N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0165
  
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• STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STP5NK60ZFP, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP5NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2912
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3622S, 34 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS3622S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1168
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ0902NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9159
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD096N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5211
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI60R250CPAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6700
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2572_F085, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD2572_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8063
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3 G, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPA126N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2242
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSF G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC159N10LSFG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4340
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL5615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL5615PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5141
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4615, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR4615
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8637
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHM8329TRPBF, 57 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFHM8329TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5001
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615TRLPBF, 33 A, Vds=150 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR4615TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5020
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF530PBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9859
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC050N03LS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC050N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5254
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD2572, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD2572
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9059
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STU5N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9758
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK60Z, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP5NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0140
  
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