规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-07L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SUM110P06-07L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5756
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP260PBF, 46 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP260PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0468
搜索
Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCH76N60NF, 73 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCH76N60NF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-3206
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N03S4L-H0, 180 A, Vds=30 V, 7引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB180N03S4L-H0
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5160
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IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTK120N65X2, 120 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-264P封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXTK120N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1441
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IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTX120N65X2, 120 A, Vds=650 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXTX120N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1448
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Vishay Si P沟道 MOSFET SUM110P06-07L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 230 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SUM110P06-07L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0938
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