规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
TSM2312CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6059
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET ECH8652-TL-H, 6 A, Vds=12 V, 8引脚 ECH封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ECH8652-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0838
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ZXMN2B14FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8036
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6722MTR1PBF, 13 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF6722MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6762
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ZXMN2B14FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2636
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Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDZ375P, 3.7 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDZ375P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4923
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL6342PBF, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRL6342PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4413
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRL6372PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4416
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDC642P, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDC642P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0865
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL6342TRPBF, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRL6342TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5089
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLHS6342TRPBF, 8.7 A, Vds=30 V, 6引脚 PQFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLHS6342TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7259
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET NTD4906NT4G, 54 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTD4906NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0548
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET ECH8654-TL-H, 5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ECH8654-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0835
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRL6372PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8668
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Microchip MCP87 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 MCP87055T-U/LC, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
MCP87055T-U/LC
品牌:
Microchip
库存编号:
775-7400
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4809NT4G, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTD4809NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0523
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS8425, 7.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NDS8425
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1242
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC024NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSC024NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9165
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