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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFZ14PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1685
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SUD23N06-31L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  611-1342
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9610SPBF, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9610SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4227
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3502, 14 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB3502
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8977
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB1P50TM, 1.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQB1P50TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9333
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF2HNK60Z, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF2HNK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2805
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3992, 4.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS3992
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3649
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2337DS-T1-GE3, 1.75 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI2337DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3123
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ14GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2724
  
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• ON Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 NVMFD5877NLT3G, 17 A, Vds=60 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NVMFD5877NLT3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4163
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3099L-7, 2.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMP3099L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0503
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50UT, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50UT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8619
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF5805TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3763
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT2955, 2.5 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NDT2955
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1096
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC120N03LS G, 39 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC120N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8173
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPW90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8390
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC2612, 1.1 A, Vds=200 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDC2612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9018
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC365P, 4.3 A, Vds=35 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDC365P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9027
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5877NLT1G, 17 A, Vds=60 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NVMFD5877NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1490
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIA462DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIA462DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1222
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP3085LSD-13, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMP3085LSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0490
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50FT, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8616
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL014PBF, 2.7 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFL014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9733
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9610PBF, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9610PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9462
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3692, 4.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS3692
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0501
  
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