品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC010NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC010NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4270
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP06N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7776
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2L, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP603S2L
品牌:
Infineon
库存编号:
462-2935
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLIB9343PBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLIB9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4485
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPD06N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8489
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLR9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLR9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4520
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLU9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLU9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4643
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Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC072N03LD G, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC072N03LD G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9395
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N04N G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP048N04N G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2346
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03LS G, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC042N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5250
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLR9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLR9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3963
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