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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4110GPBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4110GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3962
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805PBF, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF3805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5756
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8595
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7433
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7442
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P4-03, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB180P04P4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8674
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1584
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7445
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4918
  
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